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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

硅基芯片将很快成为过去,中国在第三代半导体方面已与美国同步!-先进光半导体

发表时间:2022-05-31 11:04作者:光耦选型工程师

  目前由于快充技术、车载电子的兴起,以及当前的硅基芯片逐渐接近极限,业界开始逐渐认识到第三代半导体的广泛应用,让人惊喜的是中国在第三代半导体方面已与全球居于同一水平。


  第一代半导体为硅基芯片,这是当前的绝对主流,目前仍然占据半导体市场九成以上的份额,不过硅基芯片已逼近极限,芯片制造工艺已逼近1nm,制造工艺研发难度越来越大,近期台积电的3nm工艺似乎就再次延期,这从苹果今年下半年的A16处理器没能用上3nm工艺可以看出来,此外对于存储芯片等来说10nm级别也已基本达到极限,否则就耐用性就成为问题。


  这都迫使全球半导体行业研发新的芯片材料,业界将砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等化合物定义为第二代半导体,这类半导体主要用于制造高性能毫米波器件、发光器件等的材料;第三代材料则是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等化合物为代表。


  第三代半导体材料是随着快充技术、新能源汽车发展起来的,这方面小米、比亚迪等知名企业已为我们普及了许多。小米将氮化镓(GaN)充电器很好为我们普及了氮化镓(GaN)的作用,比亚迪则在电池技术、快充技术方面广泛应用第三代半导体材料,随着比亚迪在新能源汽车行业越来越热,它也在积极推动第三代半导体材料的应用。


  上述谈到的第一代、第二代、第三代半导体材料其实并非互相替代,就目前来说硅基材料仍然是芯片行业的基础,而第二代和第三代半导体材料只是与第一代半导体材料互补,对于当下推进的节能减排、产业转型升级提供支撑。

硅基芯片

  相比起第一代半导体,中国属于后起而加紧追赶,但是却受制于中国在产业链方面的劣势,导致中国在硅基芯片行业与全球先进水平存在较大差距,目前中国在第三代半导体方面则已形成了自己的完整产业链。


  中国已拥有自己的第三代半导体材料生产企业、加工企业,拥有自己的完善产业链,同时中国在第三代半导体应用方面更居于全球领先水平。中国的手机企业在快充技术方面居于领先地位,中国在新能源汽车行业也已居于全球领先地位,都与中国在第三代半导体领域拥有完善的产业链分不开。


  业界预期在未来5年,全球的碳化硅(SiC)市场规模将猛增两倍多,氮化镓(GaN)市场规模更将增长20倍,中国依托于自己的完善产业链可望在第三代半导体领域取得领先优势,甚至有望后来者居上实现对美国的赶超。


  虽然说碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)属于第三代半导体材料,不过对于芯片行业来说,研发碳基芯片才能完全取代硅基芯片,碳基芯片将打破当前硅基芯片的工艺极限,业界人士指出碳基晶体管的运行速度最高可达到硅基晶体管的10倍,而功耗却只有后者的十分之一,目前欧美和中国都在积极推动碳基芯片的研发,但是这方面的突破还需要不少时间。


  从第一代半导体到如今的第三代半导体,中国快速缩短与美国等的差距,体现了中国在基础材料科学方面的巨大进步,这也与中国技术研发实力不断提高有关,此前几十年由于种种原因中国的科学研究主要偏向于应用方面,如今中国有了足够的资金和实力也有能力在基础科学方面进行投入,甚至与全球达到同步,这是巨大的进步。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


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