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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

半导体市场中的2nm有多重要!-先进光半导体

发表时间:2022-06-16 11:05作者:光耦选型工程师

  6月15日,日媒报道,日本将于美国一起联合建成2nm芯片的制造基地,最早于2025年建成,争取在下一代芯片技术的商业化竞争中保持优势。在两国政府的推动下,日美私企将会组建成合资公司。


  在这次“日美”握手的前两天,台积电对外称,今年下半年将推进量产3nm芯片。而万众瞩目的2nm制程已经在研发方面取得了重大的突破,预计到明年就可以进行风险试产。这意味着台积电的2nm距离量产只差一步之遥。通常情况下,在风险试产后一年,便可以把工艺拿来大规模量产。


  众所周知,台积电是半导体的龙头老大,是任何一个国家都想拉拢的芯片制造商。而此次美日合作却不带该企业一起。于是,业内人士分析,这次美日2nm合作的目的,正是摆脱对台积电的依赖!


  半导体市场中的2nm有多重要?


  除了台积电,英特尔、三星也纷纷向外放话,2025年实现2nm芯片的量产!目前三星已经开始着急了,从ASML手中购入更多的EUV光刻机。因为现在EUV光刻机本来就很紧缺,现在不抢,将会陆续不断地交付到“扩产狂魔”台积电手中。

国产光耦晶圆

  2nm芯片的量产将决定哪一个国家,哪一个企业是否握住高科技的门槛。相关数据显示,在性能上,它比常用的7nm提升了45%,但却在功耗上降低一部分能耗,在比从前更小的面积上,集结了更多的晶体管,提升其运行的速度。


  在未来,2nm芯片的量产在更大的层面是建立在国家安全角度,而不仅仅只停留在手机板块。目前两三年内,能使用到2nm技术的产品少之又少。目前比较缺乏的反而是7nm芯片,因为运用到7nm技术的产品在我们平时生活中非常普遍。而2nm更多的代表一个国家科技高度的表现与未来。它将用于量子计算机、数据中心、飞机等领域,彰显一个国家的综合实力。


  美国的游戏规则,日本的半导体基因


  据相关报道称,美国具有芯片制造所需要的应用材料,而日本本身就是半导体大国,具有实力强劲的芯片材料制造能力。而业内人士表示,此次跨国合作另有企图。美日是借2nm合作项目,来建立属于他们自己的供应链圈子。


  对此,台积电回应此次美日合作并非为了赶超,而是保障自己国家的贸易、科技成长。


  芯片工艺发展日新月异,短短几年时间便实现了7nm到4nm的迈进,而台积电对自己的发展有明确的规划,短时间内难以超越。芯片产业链对美国来说尤为重要。因此,面对目前这一局势,美国想自己修改游戏规则,将具有世界领先半导体技术的日本“拉进群聊”,共同创建、引领芯片产业链。


  曾经,日本是全世界的半导体市场霸主,发力上游设备的研发,从原材料、设计、到制造、检测一手抓,形成一条高效的产业链模式,曾占全球市场的45%。后来,华盛顿向全世界抛出了个理由:日本半导体的崛起将影响美国的安全!此话一出,各项有关日本半导体的制裁措施便开始出台。日本首相亲赴美国,在50多家报纸上刊登“道歉声明”,讲出了“日本的强大离不开美国”的金句。至此,日本半导体市场开始衰弱。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。

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