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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

PhotoMOS继电器的导通电阻与输出电容-先进光半导体

发表时间:2022-07-01 11:42作者:光耦选型工程师

  在之前的文章中,我们已经展示了PhotoMOS的工作原理,以及如何优化某些特性。在这里,我们讨论输出电容和导通电阻(C与R)之间的平衡。


  导通电阻和输出电容之间的权衡:


  实现PhotoMOS继电器是一项简单的任务,特别是在电子电路中,机电继电器中的线圈EMI会导致不必要的噪声和假信号。PhotoMOS可以调整为适合不同的应用。由于MOSFET用于切换输出侧,因此MOSFET特性显然会影响PhotoMOS继电器的行为。通过添加更多的光电池,可以降低工作功率。此外,击穿电压、导通电阻和开关容量可以通过调整MOSFET的设计来改变。例如,增加击穿电压需要略微掺杂的漏极区域。然而,这种变化也会降低电容并增加导通电阻。另一方面,通过改变漏极区域降低导通电阻会导致更高的容量,但击穿电压更低。因此,获得正确的公式是一项漫长而艰巨的任务。


  低CxR光电同步器继电器:


  需要低导通电阻和低电容开关来降低信号损耗,改善开关时间和隔离特性,这是测量和数据采集设备等高精度应用的关键要求。由于导通电阻和电容均降低,这些器件被称为低CxRPhotoMOS。CxR值的这些改进是通过优化MOSFET的布局和改进内部结构来实现的,包括键合焊盘的布局,引线键合的方式和新的端子引线。


  通过降低PhotoMOS继电器的CxR值,可以在其他重要值(如负载电压)上进行一些权衡。表1显示了一些典型的低CxRPhotoMOS继电器的特性。

低 CxR PhotoMOS 继电器列表

  低CxRPhotoMOS的应用


  低CxRPhotoMOS特别适用于测量和数据采集应用。例如,AQY221N3V的导通电阻为5.5W,输出电容为1pF,开关速度为20ms,并具有出色的隔离特性。内部键合线长度的缩短使新的更小的封装成为可能。新型SSOP(收缩小外形封装)是传统SOP(小外形封装)表面积的60%。当系统需要多个开关时,这可以转化为显着的电路板空间节省,例如自动测试设备(ATE)的情况。


  在ATE系统中,各种交流和直流信号被施加到被测器件(DUT)上,其中开关速度起着重要作用。对输入和输出信号进行监控并进行测量。由于测试系统中的信号种类繁多,因此需要具有不同特性的继电器。降低信号损耗的直流信号需要具有降低导通电阻的低CxRPhotoMOS,而提供优化隔离的交流信号则需要具有降低电容的PhotoMOS。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


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