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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅光耦继电器
    碳化硅MOS
    碳化硅SBD
    碳化硅晶圆
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
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    APV1122
    APV1123
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    光纤耦合器
    光耦系列晶圆

光耦的基本特征以及电路设计!

发表时间:2022-08-16 14:40作者:光耦选型工程师

  继电器光耦通过透明隔离材料将光发射器和光电探测器光学连接。用作作为具有不同接地电位的电路之间的接口,继电器光耦取代了隔离变压器电磁继电器。传统上,继电器或变压器被用于隔离设备之间的接口逻辑电路和电源线负载电路。


  继电器光耦不仅取代了这些器件,而且具有许多优点例如消除阻抗失配、改善输入和输出之间的隔离能力,并且易于噪声切断。此外,虽然现在的电路由更多的大规模集成电路和微型计算机组成与以前相比,继电器光耦的其他优点包括减少了在印刷电路上占用的面积并且由于可靠性的提高而实现免维护操作。


  本节概述了基本原则通用晶体管输出继电器光耦(光隔离器)的特性和应用设计。1.基本特征1-1.电流传输比(CTR)图显示了TLP785的引脚配置。CTR定义为IC/IF比(表示为a百分比)与流入输入侧LED的电流IF之比。图1.2显示了TLP785的CTR分布。在IF=5mA和VCE=5V,电流互感器设计为50%至600%当使用晶体管耦合器时,有必要特别注意以下几点。


  第2-4节显示了晶体管耦合器的电路设计示例。(1)CTR降解继电器光耦中LED的光输出随时间逐渐减少,导致CTR降低。因此,建议提供设计裕度,以抵消预期的CTR下降。(2)CTR-如果依赖当晶体管耦合器用于低输入电流时,其CTR下降,如图1.3所示。这种效果在电路设计期间也应考虑。(3)CTR-Ta依赖性在高温下LED发光效率的降低比hFE的增加占主导地位,导致CTR的降低。在电路设计期间也应注意这种影响。

电流传输比(CTR)

  (图1.4)具有高光敏性和高电流传输比的晶体管耦合器是有效的接口用于信号传输。然而,传输线通常会受到各种噪声的影响,因此因此有必要在接收侧对这些噪声采取对策。在许多情况下耦合器设计在与图(b)所示类似的电路中。然而,这种电路设计容易受到干扰信号传输中的某些干扰。虽然共模噪声不构成问题在晶体管耦合器的隔离特性方面,没有采取措施防止差分噪声。

晶体管耦合器的负载特性

  图形(c)是用于消除差分噪声的电路示例。该电路与其他电路相同通用晶体管,在基极和发射极之间插入一个电阻器。高CTR晶体管耦合器在信号传输应用中更有效。从图中可以看出图表表明,对于高CTR产品,截止面积和饱和面积比低CTR产品更接近产品因此,可以指定具有足够裕度的阈值输出电压电平以便于设计和灵活性。为此,建议使用此电路。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


  以上就是本文的全部内容,如果觉得本文对您有所帮助,请持续关注本司网站https://www.a-semi.com以及“先进光半导体”微信公众号,我们将给您带来更多新闻资讯和知识科普!


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