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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

高速驱动光耦有哪些分类!-先进光半导体

发表时间:2022-09-20 16:37作者:光耦选型工程师

  高速光耦只是一个泛称,因此此处先对高速光耦进行一个简要分类,高速光耦根据其输出类型一般可分为开路集电极输出和推挽输出,其中开路集电极输出型高速光耦根据采用不同的晶片又可分为高速晶体管输出(一般最高达到1Mbps)和逻辑门输出(通常为10Mbps),而推挽输出一般采用CMOS输出,可做到更高速,如图所示。


  光耦是一种采用光—电—光的信号传输的隔离器。光耦的分类有很多,有以输出作分类的,如晶体管输出,可控硅输出;也有以输入作分类的,如直流或交流输入光耦等等。本文小编就带大家了解高速光耦、IGBT驱动光耦、IPM驱动光耦这三类光耦及其特点。

高速光耦分布图

  高速光耦


  高速光耦是由一个光敏二极管和放大驱动电路构成的,与普通光耦相比,高速光耦的传输速度极快。高速光耦的特点有三点:一是数据传输速率在20kbps到50Mbps之间,范围极广;二是具有吸收逻辑和源逻辑,可以应用在PLC和工业设备的接口;三是可在3.3V和5V电源正常工作,可应用在混合的3.3V/5V系统。


  IGBT驱动光耦


  IGBT驱动光耦具有MOS门极结构,因此也叫IGBT/MOSFET驱动光耦。IGBT驱动光耦也有三个特点:一是具有过电流保护和有源米勒箝位功能,用来保护IGBT免于过电流的情况;二是轨对轨输出实现了在约等于电源电压时的全摆幅输出,降低了光耦及其驱动器件的功耗;三是欠电压锁定(UVLO),多数IGBT驱动光耦都有这个电路以防止低电压区发生故障。


  IPM驱动光耦


  IPM驱动光耦具有开路集电极输出、反相和同相的图腾柱配置。IPM驱动光耦的特点:一是具有低电平和高电平IPM接口,能为高电平IPM提供同相输出,也能为低电平IPM提供反相输出;二是共模抑制(CMR)达20kV/µs,多数IPM驱动光耦在光电探测器芯片中有一个屏蔽层,可改进光耦的共模抑制。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


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