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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅光耦继电器
    碳化硅MOS
    碳化硅SBD
    碳化硅晶圆
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    MOSFET驱动光耦
    APV1122
    APV1123
    APV1124
    APV1125
    光纤耦合器
    光耦系列晶圆
光耦继电器相关知识
06/16
2026

  在现代工业自动化、智能家居以及电力控制系统的设计中,传统的机械电磁继电器由于存在触点磨损、电火花干扰和寿命有限等致命缺陷,正在加速被无触点的电子开关所替代。而在这些先进的电子开关中,光耦继电器(PhotoMOS/OptocouplerRelay)与固态继电器(SSR,SolidStateRelay)无疑是最耀眼的“双子星”。  由于它们都具备“无机械触点”和“光电隔离”的特征,许多初学者...

06/15
2026

  随着智慧城市、雪亮工程以及物联网技术的飞速发展,安防产品已经从传统的单纯“摄像头监控”演变为集视频采集、智能分析、红外夜视、报警联动、门禁控制于一体的复杂网络化系统。  安防产品通常部署在复杂的户外环境、工控现场或人员密集的公共场所。这些设备一方面要面对室外雷击、电网浪涌、静电放电(ESD)等恶劣电磁环境的冲击;另一方面,其内部的微处理器、图像处理芯片又属于极其敏感的弱电元器件。如何在“...

06/12
2026

  在当前物联网、智能家居以及分布式工业控制系统大行其道的背景下,电子设备正在朝着两个看似矛盾的方向演进:一方面,核心微处理器越来越追求“低电压、超低功耗”以延长电池寿命或降低整体能耗;另一方面,外围执行机构仍然面临着复杂的电磁环境和突发浪涌的威胁。  为了完美平衡这两者,“带光耦隔离的低功耗低压控制继电器”应运而生。它集成了光电隔离技术、低功耗驱动架构以及可靠的继电器输出,成为了弱电控制强...

06/11
2026

  在电子电路设计中,如何让微弱的控制信号安全地指挥高压、大电流的执行机构,同时又确保“弱电”不被“强电”反噬?答案往往是使用光电耦合器(简称光耦)。  光耦利用“电-光-电”的转换机制,在两个完全隔离的电路之间传递信号。然而,光耦的选型并不是简单地看看引脚数量或者输入输出电压就能搞定的。如果选型不当,轻则导致信号失真、通信误码,重则在高温或高压涌流下直接烧毁芯片。  本文将从基础指标、负载...

06/09
2026

  随着“工业4.0”与智能制造的全面推进,自动化控制系统正朝着高集成度、高精密度以及强抗干扰性的方向飞速演进。在复杂的工业现场,微控制单元(MCU)、可编程逻辑控制器(PLC)等“中央大脑”往往只需要微弱的信号即可工作,而其控制的电机、变频器、电磁阀等执行机构则处于高电压、大电流的恶劣电磁环境中。  如何在微弱的控制信号与强电执行机构之间筑起一道坚不可摧的“防火墙”?光耦继电器(Optoc...

06/04
2026

  在电力电子、新能源、工业自动化及智能硬件的硬件架构中,如何安全、精准地跨越“低压控制端”与“高压功率侧”之间的电气鸿沟,是衡量整个系统稳定性与安全性的核心指标。作为筑起这道物理安全屏障的功臣,光电耦合器(Optocoupler,简称光耦)凭借“以光为媒”的单向传导属性,成为了电路板上不可或缺的隔离守卫。  对于硬件工程师而言,要彻底驯服一颗光耦,使其在严苛的电磁工况下不发生误动作、不因老...

06/03
2026

  深度解析常用光耦型号、工作原理与硬核优势在现代电子电路与电力控制系统的硬件版图中,“安全隔离”与“信号精准传输”是两个永恒的核心命题。随着分布式光伏、智能电网、储能系统以及新能源汽车(BMS)向高电压、大功率、高频化急剧演进,敏感的微控制器(MCU/DSP)极易遭受强电侧万伏浪涌或高频噪声的物理摧毁。作为斩断电气危害的“安全阀”,光电耦合器(Optocoupler,简称光耦)凭借“以光为...

06/02
2026

  在电力电子与高压输电工程中,如何实现“弱电控制系统”与“强电功率侧”之间绝对安全的电气隔离,始终是关乎设备生死与人身安全的核心命题。从传统的特高压直流输电(UHVDC)、分布式光伏并网,到代表未来的超特高压智能电网(10kV以上系统),系统对主控芯片的保护与信号切换的可靠性提出了近乎严苛的要求。  长期以来,超高压领域的开关隔离主要依赖传统的电磁继电器、高压接触器或大型真空断路器。然而,...

06/01
2026

  在电力电子、现代工业自动化以及精密医疗设备的电路版图中,控制侧的低压微处理器(如MCU、DSP)与执行侧的强电负载(如电机、高压电网)之间,始终需要一道兼顾“安全隔离”与“高效切换”的物理屏障。  在过去,这一职责主要由传统的电磁继电器(EMR)承担。然而,随着电气系统向长寿命、高频化及微型化演进,传统继电器由于机械磨损、电弧火花以及切换速度慢等物理局限,逐渐暴露出系统短板。在此背景下,...

05/29
2026

  在电力电子与数字化控制深度融合的今天,“如何安全、精准地跨越高低压电气鸿沟”是硬件电路设计中必须面对的核心课题。作为承担隔离与信号传输重任的硬核器件,光电耦合器(Optocoupler,简称光耦)凭借“以光为媒”的天然物理特性,成为了控制端与负载端之间不可或缺的隔离纽带。  对于硬件工程师而言,仅仅知道光耦能够“隔离信号”是远远不够的。在实际工程应用中,光耦“输入侧(电流/电压)”与“输...

05/28
2026

  在现代电力电子、分布式能源以及工业自动化系统的演进历程中,“如何实现高低压系统之间的高效隔离与功率跨越”始终是硬件工程领域的核心命题。长期以来,电磁继电器(EMR)凭借低导通电阻、大电流承载力以及低廉的成本,作为历史功臣统治了功率控制版图大半个世纪。  然而,随着光伏发电、储能系统(ESS)以及新能源汽车等行业全面迈入大功率、高频化与超长寿命周期,传统继电器的物理瓶颈——机械磨损、电弧火...

05/27
2026

  在现代工业控制、新能源汽车、轨道交通以及航空航天等高危、高精尖领域,电子系统的稳定运行直接关系到人身安全与数以亿计的财产安全。在这些复杂系统的硬件架构中,如何将敏感的低压微控制器(MCU/DSP)与充满高压浪涌、大功率噪声的执行机构安全隔离,同时确保控制信号高可靠地输出,是每一个硬件架构师必须攻克的桥头堡。  作为跨越电气鸿沟的“传话筒”,光电耦合器(Optocoupler,简称光耦)凭...

05/25
2026

  在工业控制、汽车电子、测试测量以及医疗设备等现代电子系统中,系统的安全隔离与高可靠性功率切换始终是核心诉求。传统电磁继电器(EMR)虽因成本低、过载能力强而在过去几十年大行其道,但其固有的机械触点磨损、电弧干扰、动作噪音及低切换速度等缺陷,在数字化、微型化、超高可靠性的现代工程面前逐渐演变为发展瓶颈。  作为替代方案,光继电器(Photo-Relay,业内也常称为固态光耦继电器或Phot...

05/22
2026

  在电力电子、工业自动化及智能硬件飞速发展的今天,电子系统正朝着“高电压、大电流”与“低功耗、高集成”这两个看似矛盾的两极演进。当微弱的超大规模集成电路(如MCU、DSP、FPGA)需要去控制数万伏的高压电网、高功率电机或复杂的工业现场时,如何确保脆弱的控制“大脑”不被高压击穿?如何保证信号在强电磁干扰下依然精准无误?  答案就隐藏在一个体积微小却至关重要的半导体元器件中——光电耦合器(O...

05/21
2026

  在数字化与智能化的浪潮中,电子设备的集成度越来越高,面对的电磁环境也日趋复杂。如何在高低压电路之间架起一座安全、高效、互不干扰的桥梁,成为了现代电子工程设计的核心课题。作为这一领域的“幕后功臣”,光耦继电器(PhotoMOS/Opto-MOSRelays)凭借其独特的工作原理和无可比拟的性能优势,正在逐步替代传统的电磁继电器,成为现代工业、医疗、新能源等行业不可或缺的电子元器件。  一、...

05/20
2026

  在复杂的现代工业控制、电力系统及自动化设备中,如何安全高效地切换高压、大电流负载,同时保护脆弱的微控制器(MCU)核心,始终是硬件设计面对的核心挑战。传统的电磁继电器(EMR)虽技术成熟,但其机械触点固有的磨损、电弧干扰以及较慢的响应速度,限制了其在高频、高可靠性场景中的表现。  为了突破这一瓶颈,继电器光耦(通常指光控固态继电器,如PhotoMOS、光电MOSFET继电器、SSR等)应...

05/19
2026

  光耦应用指南:规格参数、核心用途与选型解析在现代电子电路设计中,如何实现强电与弱电系统的安全隔离,同时保证信号的高速、准确传输?答案往往是光电耦合器(Optocoupler,简称光耦)。作为电子工程师工具箱中的“隔离神器”,光耦利用光信号作为媒介,在输入与输出之间构筑了一道天然的电气屏障。本文将为您全面解析光耦的核心规格参数、主流应用场景以及关键的选型指南。一、光耦的核心规格参数选对光耦...

05/13
2026

  在现代工业控制、通信设备、智能电表及BMS(电池管理系统)等领域,信号的通断控制是系统的核心功能。长期以来,电磁式继电器(ElectromechanicalRelay,EMR)凭借其简单、可靠的物理断开特性占据了市场统治地位。然而,随着电子设备向小型化、高频化及长寿命化的演进,传统机械式继电器的弱点——机械磨损、触点火花、响应迟缓及功耗过高——正日益成为系统设计的瓶颈。  如今,一种由光...

05/12
2026

  在现代电子工业的版图上,信号转换与负载控制始终是电路设计的核心课题。随着工业自动化、电力电子及通信技术的飞速演进,传统的机械式继电器因其体积大、响应慢、触点磨损及电磁干扰等固有缺陷,在精密控制领域逐渐显得力不从心。此时,光耦继电器(Opto-MOSRelay/SSR)凭借其卓越的性能特性,成为了半导体开关领域的“明星产品”。  本文将深入剖析光耦继电器的技术优势,并结合实际应用场景,探讨...

05/11
2026

  在现代电子设备中,无论是家里的智能插座、手中的快充充电器,还是工厂里的自动化机械臂,都有一个身材娇小却至关重要的元件——光耦(Optocoupler)。  如果把电路比作一个繁忙的城市,光耦就是那位坐在“隔音玻璃房”里的接线员。它不仅能让信号准确无误地传递,还能在危险的高压来袭时,舍身挡住冲击,保护脆弱的核心系统。今天,我们就来聊聊光耦开关那些鲜为人知的应用和奥秘。  一、什么是光耦开关...

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Structure and operational principle of Photrelays

Product line up

A PhotoRelays is a semiconductor relay with an LED as an input and MOSFET as an output.
It is used in various fields to improve device reliability and reduce size.






  • img01.jpg


  • (1)LED (light emitting diode)

  • (2)Photodiode dome array (PDA)

  • (3)MOS FET





、img02.jpg



  • (1)The LED lights when the current is connected at the input side.

  • (2)The light sent by the LED will be converted into voltage again when it is received by the photodiode .

  • (3)This voltage will be a gate voltage to drive MOS FET via control circuit.



Advantages of PhotoRelays


Obviously the PhotoRelays differ from the conventional electro-mechanical relays.
PhotoRelays are classified to semiconductor relays that have no moving contact, therefore they are superior to conventional electro-mechanical relays in life-expectance and reliability of contacts, operation speed, and their sizes.

But they also distinguish themselves from other switching solutions that utilize photo-couplers, photo-transistors etc.. PhotoRelays have MOSFET for output, therefore they are the most suitable devices for small analog signal switching.


Compared with Electro-Mechanical Relays
have moving contact:
Compared with SSR (Solid State Relays)
have phototriac for output:
●Longer lifetime (No limit on mechanical and electrical lifetime)
●Higher-speed and high-frequency switching
●Higher sensitivity (less power consumption)
●Smaller size
●Less contact problems such as arcs, bounce, and noise
●More resistant to vibration and impact
●No limitation for the mounting direction
●Able to control miniature analog signal
●Applicable to both AC/DC
●More sensibility
●Less leakage current
●Lower offset voltage
●Various contact structures such as 2a, 4a, 1b, 2b, and 1a1b in addition to 1a


PhotoRelays Technical Terminology


            1.Technical Terminology   

            2.Reliability tests   


            Here is PDF of this page.   

1. Technical Terminology


Term
Symbol
Description

Input
LED forward current
IF
Current that flows between the input terminals when the input diode is forward biased.

LED reverse voltage
VR
Reverse breakdown voltage between the input terminals.

Peak forward current
IFP
Maximum instantaneous value of the forward current.

LED operate current
IFon
Current when the output switches on (by increasing the LED current) with a designated supply voltage and load connected between the output terminals.

LED turn off current
IFoff
Current when the output switches off (by decreasing the LED current) after operating the device with a designated supply voltage and load connected between the output terminals.

LED dropout voltage
VF
Dropout voltage between the input terminals due to forward current.

Power dissipation
Pin
Allowable power dissipation between the input terminals.
Output
Load voltage
VL
Supply voltage range at the output used to normally operate the PhotoRelays.    Represents the peak value for AC voltages.

Continuous load current
IL
Maximum current value that flows continuously between the output terminals of the PhotoRelays under designated ambient temperature conditions. Represents the peak value for AC current.

On resistance
Ron
Obtained using the equation below from dropout voltage VDS
(on) between the output terminals (when a designated LED current is made to flow through the input terminals and the designated load current through the output terminals.)
    Ron
= V
DS
(on)/I
L

Off state leakage current
ILeak
Current flowing to the output when a designated supply voltage is applied between the output terminals with no LED current flow.

Power dissipation
Pout
Allowable power dissipation between the output terminals.

Open-circuit output voltage
Voc
Voltage required for driving a MOSFET

Short-circuit current
Isc
Current that is output from the driver when the input is turned on
Electrical    characteristics
Turn on time
Ton
Delay time until the output switches on after a designated LED current is made to flow through the input terminals.

Turn off time
Toff
Delay time until the output switches off after the designated LED current flowing through the input terminals is cut off.

I/O capacitance
Ciso
Capacitance between the input and output terminals.

Output capacitance
Cout
Capacitance between output terminals when LED current does not flow.

I/O isolation resistance
Riso
Resistance between terminals (input and output) when a specified voltage is applied between the input and output terminals.

Total power dissipation
PT
Allowable power dissipation in the entire circuit between the input and output terminals.

I/O isolation voltage
Viso
Critical value before dielectric breakdown occurs, when a high voltage is applied for 1 minute between the same terminals where the I/O isolation resistance is measured.
Ambient    temperature
Operating
Topr
Ambient temperature range in which the PhotoRelays can operate normally with a designated load current conditions.

Storage
Tstg
Ambient temperature range in which the PhotoRelays can be stored without applying voltage.
Max. operating frequency

Max. operating frequency at which a PhotoRelays can operate normally when applying the specified pulse input to the input terminal



2. Reliability tests


Classification
Item
Condition
Purpose
Life tests
High temperature storage test
Tstg
(Max.)
Determines resistance to long term storage at high temperature.

Low temperature storage test
Tstg
(Min.)
Determines resistance to long term storage at low temperature.

High temperature and high humidity storage test
85°C
185°F, 85%R.H.
Determines resistance to long term storage at high temperature and high humidity.

Continuous operation life test
VL
= Max., I
L
= Max.,
    IF
= Recommended LED forward current
Determines resistance to electrical stress (voltage and current).
Thermal    environment    tests
Temperature cycling test
Low storage temperature (Tstg
Min.)
    High storage temperature (TstgMax.)
Determines resistance to exposure to both low temperatures and high temperatures.

Thermal shock test
Low temperature (0°C)
(32°F),    High temperature (100°C)
(212°F)
Determines resistance to exposure to sudden changes in temperature.

Solder burning resistance
260±5°C
500±41°F, 10 s
Determines resistance to thermal stress occurring while soldering.
Mechanical    environment    tests
Vibration test
196 m/s2
{20 G}, 100 to 2,000 Hz*1
Determines the resistance to vibration sustained during shipment or operation.

Shock test
9,800 m/s2
{1,000 G} 0.5 ms*2;
    4,900 m/s2
{500 G} 1 ms
Determines the mechanical and structural resistance to shock.

Terminal strength test
Determined from terminal shape and cross section
Determines the resistance to external force on the terminals of the PhotoRelays mounted on the PC board while wiring or operating.

Solderability
245°C
473°F
3 s (with soldering flux)
Evaluates the solderability of the terminals.


*1 10 to 55 Hz at double amplitude of 3 mm for Power PhotoRelays.    *2 4,900 m/s2, 1 ms for Power PhotoRelays.



光耦继电器

光耦继电器是固态继电器的一种。英文是Solid State Optronics Relay。


一般继电器都是机械触点,靠通电流过线圈变成有磁性的磁铁吸合触点,从而控制开光状态。而光耦继电器工作原理类似于光耦,是由微电子电路,分立电子器件,电力电子功率器件组成的无触点开关。用隔离器件实现了控制端与负载端的隔离。固态继电器的输入端用微小的控制信号,达到直接驱动大电流负载。光耦继电器归于固态继电器,一般电磁继电器靠电流经过线圈使铁芯变成有磁性的磁铁吸合衔铁,从而使相关的触点动作操控负载的通断,而光耦继电器没有触点,其工作原理与光耦有点类似。光耦继电器为AC/DC并用的半导体继电器,指发光器件和受光器件一体化的器件。输入侧和输出侧电气性绝缘,但信号可以通过光信号传输。其内部的发光二极管是用来向光电元件放射光线的,光电元件接受光线并控制输出场效应管导通或截止。光耦继电器还有另一种可控硅整流管(SCR)输出,它的负载电流比场效应管更大,后者可达到数安培,而前者可达到几十安培。相对于电磁继电器,光耦继电器由于没有触点引起的磨损,使用寿命是无限的,同时也具有无震动、无切换声音等特性,与电磁继电器一样可控制各种负载(灯泡、发光二极管、加热器、马达等)。


光耦继电器有无机械触点,长寿命,低动作电流,高隔离电压,高速切换。低泄漏电流,交直流兼用。广泛用于测量仪器,通讯设备,办公自动化。在选用继电器时,最重要的指标是所选继电器的触点电流和电压,以及控制继电器导通开断的信号的电流和电压大小。在使用时,小功率的继电器一般直接焊接在电路板上,中大功率的继电器一般会安装在继电器座上,依据需要冉将继电器座安装在标准导轨上。由于继电器容易产生火花,因此在较大的功率的时候,建议考虑使用固态继电器、交流接触器等。通信用继电器将在今后继续增长,占到全球继电器市场的1/4。高频继电器是其发展的主要方向,在电信领域、无线通信、宽带输送接入等需求的推动下,已成为机电式继电器更新换代的新平台和下一代通信技术加速完善的助推器。体积更小,适用于表面装贴,高可靠,抗干扰性能优良的通信继电器需求旺盛;未来5G发展所需用的新型通信继电器将成为其发展主流。第四代通信继电器技术已日渐成熟,第三代移动通信的展开,为其提供良好的市场前景。光继电器/微电子继电器是电子产品向数字化、自动化、超小型化方向发展所必需的。


光继电器/微电子继电器由于其泄露率小、隔离性能好、输出特性稳定优良等优点,其应用领域在不断扩大。适用于“物联网”的光继电器由于其高灵敏性、高可靠性而成为优选产品,将会是下一代继电器发展的重要方向。



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