栅极驱动光电耦合器提供强大的功能-先进光半导体

    使用AvagoTechnologies栅极驱动光耦合器广泛用于驱动IGBT，例如电机驱动器和太阳能逆变器。光耦合器是一种经过验证的技术，可用于提供高压电绝缘IGBT和控制电路之间的保护。他们也是用于抑制高共模噪声（CMR）并防止IGBT的错误驱动。但是为了不影响光耦合器的绝缘障碍，在发生以下情况时，不得超过电源安全限制应用中的保护电路检测组件故障。这个如果发生灾难性故障，例如IGBT，可能会非常困难，短路会在光耦合器中引入更高的能量。

    本文讨论了未保护IGBT的影响在Avago门的绝缘层上进行破坏性测试驱动光耦合器。具有三层绝缘屏障的光耦合器结构光耦合器的结构和法规

    AvagoTechnologies的光电耦合器通过LED和LED之间的宽距离绝缘距离（DTI）提供增强的绝缘检测器和三层绝缘屏障。三层绝缘层由硅树脂，聚酰亚胺薄膜和硅树脂组成。聚酰亚胺薄膜是专门为承受局部放电的破坏作用而开发的，这种破坏作用可能导致电离和绝缘材料击穿。聚酰亚胺具有独特的高介电强度和宽温度范围的特性可广泛用于从机车到航空航天的各种电气绝缘应用。

    用于聚酰亚胺薄膜AvagoTechnologies光耦合器的典型介电强度为300kV/mm，可承受低至–200°C的温度并高达400°C。例如，ACPL-337J智能栅极驱动光耦合器的DTI为0.5mm，符合工业安全标准，

    IEC/EN/DINEN60747-5-5，最大增强工作绝缘电压为VIORM=1414VPEAK。IEC/EN/DINEN60747-5-5被业界公认是光耦合器的事实上的标准。标准科目　　光耦合器可进行一系列严格的环境预处理，例如温度循环，振动，机械冲击，湿度局部放电前的压力和电涌测试。光耦合器还需要进行输入LED和输出IC过载安全测试，以用于局部放电测试前72小时。这是为了确保电流，功率和外壳温度不会过载超过光耦合器的安全限制并损害了绝缘层。光耦合器电源过载可能是由撬棍，钳位二极管和限流电阻等电路保护。高压IGBT故障导致的过载集成的IGBTDESAT检测和有源Miller可保护诸如短路或寄生感应Miller电流夹紧智能门极驱动光耦合器ACPL-337J。

    除了这些符合安全极限值的标准保护措施外，本文讨论了无保护的IGBT破坏性测试对Avago栅极驱动器绝缘屏障的影响光耦合器。IGBT故障模式和破坏性测试三种IGBT故障模式可将高能量功率感应到光耦合器中：1）去饱和，2）VCE电压　3）感应米勒电流。这些故障和损坏的可能原因如表1所示。

    三种故障模式均可通过ACPL-337J的DESAT检测，软关机和有源Miller钳位功能进行保护。　这些保护功能将通过以下方式禁用，以模拟不受保护的IGBT破坏性测试：禁用DESAT的IGBT短路测试，启用DESAT的重复IGBT短路测试，从IGBT到光耦合器的直流注入。

    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。