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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅光耦继电器
    碳化硅MOS
    碳化硅SBD
    碳化硅晶圆
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
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    100~200mA
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    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
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    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
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  • ------固态继电器光耦
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    APH2213/2223
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光电耦合器的内部结构!

发表时间:2020-05-16 16:36作者:admin

  光电耦合器通常用于电路中,尤其是对低电压或高度噪声敏感的电路中,它用于隔离电路,以防止发生电冲突或排除有害噪声。在当前的商业市场中,我们可以购买输入电压为10 kV至20 kV的光耦合器,以输出具有25 kV / uS瞬态电压规范的耐压能力。


  这是光耦合器的内部结构。左侧的引脚1和2暴露在外,它是一个LED(发光二极管),LED向右侧的光敏晶体管发射红外光。光电晶体管通过其集电极和发射极切换输出电路,与典型的BJT晶体管相同。 LED的强度直接控制光电晶体管。由于LED可以由不同的电路控制,而光电晶体管可以控制不同的电路,因此两个独立的电路可以由光耦合器控制。同样,在光电晶体管和红外LED之间,该空间是透明且不导电的材料。它电气隔离两个不同的电路。 LED和光电晶体管之间的中空空间可以使用玻璃,空气或透明塑料制成,电气隔离度要高得多,通常为10 kV或更高。

Optocoupler-Internal-Structure.png

  根据输出引脚的可用性,光电晶体管可以分为两种类型。在左侧的第二张图片中,还有一个额外的引脚,该引脚内部与晶体管的基极相连。该引脚6用于控制光电晶体管的灵敏度。通常,该引脚用于通过高阻值电阻接地或接地。在这种配置中,可以有效地控制由于噪声或电瞬变引起的误触发。


  同样,在使用基于光电晶体管的光耦合器之前,用户必须了解晶体管的最大额定值。 PC816,PC817,LTV817,K847PH是很少使用的基于光电晶体管的光耦合器。光电–基于晶体管的光电耦合器用于与直流电路相关的隔离。

Photo-Transistor-Optocoupler.png

  在上方的图像中,有两种类型的符号,其中显示了基于Photo-Darlington的光耦合器的内部结构。达林顿晶体管是两个晶体管对,其中一个晶体管控制另一晶体管基极。在这种配置中,达林顿晶体管提供了高增益能力。与往常一样,LED发射红外灯并控制晶体管对的基极。


  这种类型的光耦合器还用于直流电路相关区域的隔离。内部连接到晶体管基极的第六个引脚,用于控制晶体管的灵敏度,如先前在光电晶体管描述中所述。 4N32、4N33,H21B1,H21B2,H21B3都是基于光达林顿的光耦合器示例。

Photo-Darlington-Transistor-Optocoupler.png


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