光电耦合器与光耦合MOSFET的区别！

    如下侧的光电耦合器‍图所示，当发光二极管（LED）点亮光电晶体管时，光产生的光电流从集电极流向光电晶体管的基极。

    因此，当LED不点亮时，光电晶体管被切断，并且当LED强烈地点亮时，大的光电流从集电极流向基极，并且光电晶体管稳定地导通。与简单地使基极-集电极短路时不同，即使集电极-发射极电压小于晶体管的基极-发射极正向电压，光电流仍然流动并且光电晶体管导通。

    另一方面，OCMOSFET装有光伏电池，当LED点亮时，光伏电池对栅极电容充电以增加栅极-源极电压，从而导通了MOSFET中的MOSFET。接触式的情况。对于断开型接触，FET导通而没有栅源电压。但是，当LED点亮时，光伏电池会反向偏置栅极-源极电压，从而切断FET。当make-typeOCMOSFET关闭时，光伏电池不仅停止充电，而且内部放电器开关自动闭合，从而迫使栅极放电。结果，栅极-源极电压立即下降。

    OCMOSFET中的两个FET反向串联在一起。因此，当OCMOSFET导通时，两个FET都是双向导通的。但是，当OCMOSFET不导通时，仅在施加电压被切断的正向FET上导通，而另一个FET的寄生二极管导通，由于上述结构差异，光电耦合器和OCMOSFET具有以下特性差异：

    1.尽管光耦合器在输出中仅传导DC（直流电），但是OCMOSFET可以在FET中传导DC和AC（交流电）。

    2.通常，光耦合器的工作速度为微秒或更高，而OCMOSFET的工作速度为毫秒。

    3.尽管光耦合器的输出传导特性随输入电流值而变化，但OCMOSFET的输出传导特性与输入电流值无关。

    4，从理论上讲，光耦合器对应于输入变为导电。但是，在施加输入时，有两种OCMOSFET：一种导电（a触点：闭合型触点）和一种断开（b触点：断开型触点）。

    因此，尽管对于OCMOSFET不能期望像光电耦合器这样的高速操作，但是OCMOSFET可以在很小的输入电流（小至几毫安）的情况下切换交流电以及在安培范围内的大电流。