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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ---低阻值、低电容
  • ---增强隔离 3.75kVrms
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------高速通信光耦
    APPL-2503/30/31
    APPL-2601/11/30/31
    APPL-M501/601/70
    APPL-0501/0601/063L
    APPL-4502/03/04
    6N135
    6N136
    6N137
    6N138
    6N139
  • ------常用型光耦
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    APC814/816/817
    APC824/826/827
    APC214/224/217/227/244/247
    APC354/356/357/358
    APC1001/02/04/06/08
    4N25/26/27/28/35/37
    光伏光耦
    APLP-190/191
    APLP-3902/3904/3905/3906
    隔离放大器光耦
    IGBT驱动光耦
    MOSFET光耦
    IPM光耦合器
    光纤耦合器

光电继电器的优点!-先进光半导体

发表时间:2021-01-19 10:58作者:光耦选型工程师

  功率MOSFET由于其健壮性、温度稳定性、高开关速度和高增益电流电平,在光电继电器中起着输出开关元件的作用。在典型的MOSFET中,栅极和源极端子位于芯片顶面,漏极端子位于芯片底面。与源相连的n+Si层包含在两个p型高杂质浓度阱(p+)中。这些阱依次嵌入n型低杂质浓度区(n-)。栅极封装在p沟道上方的一层薄薄的SiO2绝缘层中。负载电流通过通道外的芯片垂直传导。


  当栅极和源极(VGS)之间没有电流时,源极和漏极之间的连接被阻断。一旦栅极电压达到某一阈值,p+区内就会形成n导电通道,将电子从源极通过n漂移区引导到漏极。光电继电器使用具有双扩散结构的MOSFET,即所谓的DMOSFET。当反接时,它们也能切换交流负载。晶体管的垂直结构使它既能承受高阻断电压又能承受高电压当前。如果当栅极电压低于导通所需的阈值电压时,MOSFET处于截止状态:从源极到漏极(IDS)的沟道电流为零。一旦达到阈值,传导就随之发生,栅极就会充电。一旦发生饱和,栅极电容充满电,就会达到导通状态。尽可能快地在关闭和打开状态之间切换是高速运行的核心,并确保在过渡期产生最小的开启损耗。


  光电继电器通常采用砷化镓LED作为输入设备。这种类型的LED芯片包括一个n型高杂质浓度GaAs层(n+),顶部有一个p型扩散层。两侧都镀有铝层,形成阴极和阳极连接。当内部pn结在正向偏压下被激活时,就会发出红外光。为了使光输出最大化,该区域被移动到尽可能靠近表面的位置。

先进光半导体光耦继电器

  为了实现最佳操作,砷化镓发光二极管需要大约3到5毫安的输入电流。虽然电流可能较低,但会导致灯光变暗,从而影响光电继电器的接通时间。由于砷化镓发光二极管在正向偏置条件下的电压刚好超过1V,因此需要一个外部电阻器将电流调整到正确的水平,以免损坏发光二极管。光输出也会随着环境温度的升高和恒流运行时间的增加而降低。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。

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