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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ---低阻值、低电容
  • ---增强隔离 3.75kVrms
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------高速通信光耦
    APPL-2503/30/31
    APPL-2601/11/30/31
    APPL-M501/601/70
    APPL-0501/0601/063L
    APPL-4502/03/04
    6N135
    6N136
    6N137
    6N138
    6N139
  • ------常用型光耦
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    APC814/816/817
    APC824/826/827
    APC214/224/217/227/244/247
    APC354/356/357/358
    APC1001/02/04/06/08
    4N25/26/27/28/35/37
    光伏光耦
    APLP-190/191
    APLP-3902/3904/3905/3906
    隔离放大器光耦
    IGBT驱动光耦
    MOSFET光耦
    IPM光耦合器
    光纤耦合器

PhotoMOS(半导体继电器)–隐藏在工业和汽车设备内的组件!-先进光半导体

发表时间:2021-01-21 10:59作者:光耦选型工程师

  也许“PhotoMOS”这个名字很容易让你想起电子半导体元件,而PhotoMOS实际上是一个半导体元件。简言之,PhotoMOS是一种半导体继电器,包含作为输入元件的LED和作为输出元件的MOSFET。


  从历史上看,机械继电器在市场上更为普遍,然而半导体继电器比机械继电器有许多优点。


  半导体继电器的特征是使用寿命长,接触可靠性高。要详细了解半导体继电器的特性,请访问松下产品页面。


  现在,让我们来剖析光继电器的内部结构。


  下图显示了PhotoMOS的基本结构,它由三个基本组件组成:LED、光电元件和MOSFET。

国产mosfet光耦内部结构图

  该图可用于直观地解释PhotoMOS的功能。输入到初级侧的电信号由LED(1)转换为光。然后,光电元件接收LED的光(2)以产生电动势。最后,产生的电动势(3)使MOSFET导通。


  光耦的内部结构!


  通过这个过程,输入侧的输入电信号在输出侧打开和关闭MOSFET。简单地说,光电组件起开关元件(即继电器)的作用,其中输入侧通过光传输路径与输出侧电绝缘。


  PhotoMOS的工作原理相对简单。在实际应用中,这项技术的过程和实施,需要一个精心制作的技术诀窍。松下公司研发PhotoMOS产品已有30多年的历史。基于多年的经验和积累的知识,公司保留了业界最高标准的设计技术。松下具有灵活性,以满足各种客户的要求,如定制设计的产品。


  与光电耦合器的区别!


  在解释光电倍增管的基本操作时,会出现一个常见问题:“光电倍增管和光电耦合器之间有什么区别?”


  PhotoMOS在操作上与光电耦合器类似,但它是基于不同的产品概念开发的。这两个组件的区别在于,光电耦合器用于相对简单的脉冲信号传输或直流控制时,光电转换器能够进行双向电流控制。光电管可用于交流控制和直流控制。此外,光电组件具有较低的偏移电压的优点,该偏移电压可用于控制可能由于使用光电耦合器或光电双向晶闸管而被剪裁或失真的小信号。


  在什么电路中使用光电管?


  下面的例子可以用来演示一种通常使用PhotoMOS的电路。

国产mosfet光耦

  近年来,随着移动设备市场的进一步扩大,在电池管理系统(BMS)中使用PhotoMOS的设计不断增加。具体地说,在这些情况下,在监视剩余电池容量的电路中使用光电管。如下图所示,在基本电路配置中,四个光电元件用于单个或多个电池单元。


  首先,打开(关闭)连接到电池单元的光电管,为电容器充电。


  此时,连接到测量系统的其他光电组件保持打开状态,以保持蓄电池和测量系统之间的隔离。当电容器完全充电时,连接到电池芯的光电管打开,然后连接到测量系统的光电管关闭(打开)。这个过程可以让人安全地测量电池的电压。只要设备通电,就要经常监测剩余电池容量。由于机械继电器的使用寿命有限,因此在监测蓄电池系统期间使用的这种频繁切换会给机械继电器带来问题。采用PhotoMOS(半导体继电器)消除了频繁切换带来的问题。特别是对于耗电量大的产品,例如携带许多电池的电动汽车,必须对其进行单独的监控和控制。另一个在这个市场上大量采用PhotoMOS的原因是,与机械继电器相比,PhotoMOS的尺寸要小得多,可以实现更高密度的安装。


  BMS是应用了PhotoMOS的系统的一个例子。我们鼓励您了解PhotoMOS的简单设计和极端多功能性如何有利于您自己的应用。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。

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