光电继电器的多样性应用领域！-先进光半导体

　　典型的PhotoMOS继电器由以下几个元件组成：

　　光耦合器到光电二极管阵列（PDA）的输入LED控制电路和两个功率MOSFET，用作输出设备。操作LED时，PDA转换光转化为电流和电压，从而驱动电源输出上的MOSFET。中间控制电路负责设备的安全可靠开关一旦达到一定的触发电流，输出MOSFET就会关闭。MOSFET反过来形成一个反串联连接，使它们能够同时切换直流和交流。

　　光电继电器的优点：

　　光电继电器完全由半导体材料制成而且没有活动部件，使它们特别适合对于需要担心封装尺寸的应用程序，电源消耗或运行速度。在机械继电器中，闭合产生的动能触点导致操作触点反弹。这会导致触点中断和典型的电弧现象。接触电阻波动与电磁电路结果就是噪音。另一个是光电继电器，保证无弹跳操作和免疫电磁干扰（EMI）。此外，电子病历系统中的机械部件对开关施加了自然限制速度：闭合一个触点需要2到3毫秒。

　　光电继电器，另一方面，没有这些限制，他们可以开关远低于1毫秒。照片内无活动部件继电器还导致更好的冲击和振动阻力超过1000克。对于EMR，限值达到30克。尽管PhotoMOS继电器不能完全避免退化，但可靠的切换几乎可以无限期地延长在中等温度和额定温度范围内运行时结温。同样，不会发生机械磨损，从而进一步延长光电继电器的开关寿命。

　　本文还介绍了这种半导体继电器的物理特性!

　　允许高达5000VAC的异常高隔离电压，而类似的信号继电器在2000伏交流电压下达到极限。作为光电继电器不必担心电弧，最大

　　相比之下，开关电压增加了10倍以上EMR，从200伏到2000伏以上。

　　PhotoMOS继电器还具有以下优点：

　　能源消耗和包装尺寸。由于LED所需的低输入电流，功耗大约10兆瓦是标准的。特别敏感产品小于5兆瓦也可用于指定应用。光电继电器可以下降到VSSOP或甚至TSON低电流封装设备–当电路板空间有限时的一大优势。

　　机电式继电器的优点！

　　而这些优点使得PhotoMOS继电器成为一个完美的选择例如，机械继电器最高电阻约为30兆欧。虽然很特别提供值低于50mΩ的PhotoMOS继电器典型范围约为3Ω。电子病历也表现更好的高频率应用，尽管最近的技术开始改变这个。到目前为止，emr在开路状态下的输出电容小于1pf，而光电倍增管的输出电容小于1pf继电器在纳米法拉的范围内。此外，继电器更容易发生过电流和过电压，这会损坏内部连接线或MOSFET。最后，输出端的全电流隔离是目前最重要的只能用电磁继电器。

　　然而，PhotoMOS继电器能够更好地取代emr比其他具有光耦合的固态继电器（例如光双向晶闸管）有几个原因：它们提供线性导通电阻，能够开关交流和直流，并没有显示自动触发机制高空射击。

　　功率MOSFET

　　功率mosfet在一个电路中起着输出开关元件的作用！光电继电器由于其坚固性，温度稳定性，高开关速度和高增益电流水平。在一个典型的MOSFET的栅极和源极端子都位于芯片上顶部表面，而排水终端位于底部。

　　光电继电器使用具有双扩散结构的MOSFET，即所谓的DMOSFET。反接时，它们还可以切换交流负载。垂直结构晶体管的特性使它既能维持高阻电压又能保持高阻电压和大电流。如果栅极电压低于导通时，MOSFET处于截止状态：从源到漏（IDS）的通道电流为零。一次达到阈值，传导开始，门开始打开充电。一旦发生饱和，就会达到on状态，并且栅极电容充满电。在快速关闭和打开状态是高速运行的核心，并确保最小的开启损耗是在过渡时期产生的。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。