光耦继电器和晶体管继电器的不同优势点！-先进光半导体

    光耦与光电晶体管的本质区别！

    采用led作为光源ed作为光源，光电二极管作为传感器。当外部电压源和光电二极管反向偏置时，入射光可以通过二极管增加反向电流。二极管本身不会产生影响能量，它可以调节学生来自企业外部源的能量流。这种工作模式叫做光导模式。或者，在没有外部偏置的情况下，二极管通过将端子充电到高达0.7V的电压来将光能转化为电能。充电率与入射光的强度成正比。能量可以通过企业外部高阻抗排出路径电荷获得，电流数据传输比可以达到0.2%。这种操作模式叫光伏模式。

    最快的光隔离器采用光导模式的PIN二极管。PIN二极管的响应时间在亚纳秒以内；整个系统的速度是有限的，在LED输出偏置电路上延迟。为了减少这些延迟，快速数字光隔离器，包括自己的LED驱动器和输出放大器的速度优化。这些装置被称为全逻辑光隔离器:它们完全包装在LED和传感器的数字逻辑电路中。内部输出放大器的Hewlett-Packard6N137/HPCL2601系列设备于20世纪70年代末推出，达到10MBd的数据传输速度。77/07系列光隔离器包括CMOSLED驱动器和CMOS缓冲放大器，需要两个独立的外部电源，每个5V。

    光电二极管的光隔离器可以用来连接模拟信号，尽管它们总是非线性信号失真。一种特殊的模拟光隔离器使用两个光电二极管和一个输入操作放大器来补偿二极管的非线性。两个相同的二极管中的一个连接到放大器的反馈电路，从而保持整体电流传输比恒定，而不管第二个二极管是非线性的。

    推荐的配置包括两个不同的部分。一个发送信号，另一个建立负反馈，以确保输出信号具有与输入信号相同的特性。提出的模拟隔离器是线性范围内的输入电压和频率。然而，使用该原理的线性光耦合器已经存在多年，如IL300系列。

    以MOSFET光耦开关为中心的固体继电器通常使用光电二极管光隔离器来驱动开关。打开MOSFET栅极所需的总电荷相对较小，稳定时漏电流较低。光电二极管的转动成本可以在相对较短的时间内产生，但许多输出电压低于MOSFET的阈值电压。为了达到企业要求的阈值，固体继电器主要包括30个串联光电二极管。

    光电效应晶体管技术本质上比光电二极管慢。例如，在负载下的上升和100欧姆5微米的下降时间缓慢但仍然是最常见的4N35光隔离器中，带宽限制在10千赫左右——脑波足以用于电机控制或脉冲宽度。光电晶体管必须适当偏置和加载，以达到最大速度。例如，4N28在最佳偏置下的最高工作频率为50公斤，而在没有偏置的情况下低于4公斤。

    利用晶体管光电隔离器进行教学设计发展需要大量的余量，使学生能够在市场上找到的参数具有较大的波动性。这一波动可能是破坏性的，例如，当DC-DC转换器的反馈回路中的光学隔离器改变其传递函数并导致错误的振动，或当光学隔离器意外延迟时，导致h桥一侧短路。关键参数值，制造商的数据表，通常只列出最坏的情况。实际教学设备以不可预测的方式超出了我们对这些最坏情况的估计。使用场效应晶体管(FET)作为传感器的光耦合器很少见，只要FET输出端两端的电压不超过几百毫伏，就可以作为遥控模拟电位器。当光电FET打开时，开关电荷不会注入到一个输出控制电路，这在采样和保持系统电路中尤为社会有用。

    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。