光电继电器在工业测试领域的应用特点！-先进光半导体

    panasonic提供广泛的包括一般用途类型的光电继电器（GU，GE），高功能型（HF，HE），高敏感设备（HS）、射频（RF）和电源类型（PD）。图1提供了一个概述负载电流和负载电压的有效性以上提到的照片类型。输入PhotoMOS继电器的侧面由一个LED组成，如果电流流过它就会发光。通过后通过一种硅树脂，这种光被一个探测器探测到太阳能电池阵列导致电压下降阵列。电压降用于控制两个源极耦合MOSFET，从而切换从开-关状态输出，反之亦然。

    由于MOSFET用于切换输出侧，很明显，MOSFET的特性影响光电继电器的行为。为了测量应用，低通继电器电阻低，电容小，线性度高必修的。此应用说明提供了一些关于这种继电器及其应用的包装形式。MOSFET的结构设计，或更多精确地说，一个DMOSFET，揭示了击穿电压、导通电阻和输出能力是相互关联的。这些特征值如图2所示，DMOSFET的横截面。崩溃电压由牵引体的布局决定导致特定n的二极管-漂移区主要负责电路的导通电阻晶体管。横截面和切屑的长度表面形成一个电容器，导致标记寄生电容，影响继电器的开关高压开关的次数和隔离特性频率信号。

    由于上述负荷相关性电压、导通电阻和容量具有低负载电压的继电器具有低接通电阻。如果应用程序需要低导通电阻以降低功耗当切换大电流或增加精确的测量，设计师也必须注意温度范围。自电子的迁移率随温度的升高而降低温度，MOSFET的导通电阻上升。这可以在图3中看到，它适用于负载电压为的GE型光电继电器30伏（AQY211EH）和60伏（AQY21EH）。

    典型温度范围为40°C至60°C级，导通电阻将上升约30%。负载电压越高，mosfet的输出电压越高导通电阻的值，这会导致绝对值的剧烈变化接通电阻。另一方面，光耦继电器负载电压越高，mosfet的工作速度越快电容值较低导致的开关时间，如电容器的公式所示：AC=ε⋅。增加排水管体的长度二极管使距离d增大如前所述，降低电容值。

    用于高精度应用，如测量或数据采集设备、低开关需要电阻低电容，最后一个需求影响切换高压开关的次数和隔离特性频率负载信号。因此松下电气厂开发了专用MOSFET低通电阻，低电容。自这两个值都被降低，这些继电器被称为“低CxR”光电照片。改进的特性通过MOSFET的优化布局实现，

    例如，AQY21N2V提供典型的电阻为9。5Ω低输出电容值为1。0PF，导致开关时间20μs和提供良好高频负载的隔离特性信号。此外，测量应用减少内部粘结长度的好处导线和扁平引线端子，导致降低信号传输延迟。因此新设计已在重新设置的包。新SSOP（收缩小）外形包装）面积仅为60%，与常规SOP（小样包）及其体积减少了40%。

    如果系统中使用了多个开关，SSOP节省了大量的安装空间和体积。在除了节省空间外，松下电气Works提供了第二个包装表单，包括四个组成一个单一SOP包中的A开关。图4显示了使用四个时的示例布局网格为1。27mm的开关。

    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。