光耦继电器数据表阅读指南！

　　光耦数据表阅读指南！

　　光耦合器，也称为光隔离器，是利用红外光在两个隔离电路之间传输电信号的部件。作为隔离器，光耦可以防止高电压影响接收信号的电路侧。光耦的主要结构是通过使用红外发光二极管和光敏产品（如光电晶体管）在光屏障上传输信号。在第一页上，数据表提供了主要产品说明、其功能、建议的应用领域、订购信息和机构批准，如图1所示，用于具有光电晶体管输出的光耦。以下页面提供了关键技术规范、操作条件和显示产品行为的图表。

　　说明、功能、应用和机构批准信息

　　描述将介绍产品、主要产品类别、使用的技术及其特点。确定了高工作温度、高电流传输比和低耦合电容等特殊规格，以提供概述。应用程序部分介绍了使用该组件的最常见的应用程序。“机构批准”部分概述了产品对不同标准和机构的批准。在上述说明中，显示了包装类型的符号和选择。

　　光耦有许多不同的封装和配置。图2显示了一个典型的符号——一个红外二极管和一个4引脚封装中的光电晶体管。图2还突出显示了可用的不同封装。第一个是DIP4（双列直插式封装），通过PCB连接。其他是SMD封装，具有不同的引脚弯曲选项。它们填充在PCB的顶部。

　　光耦器件以其在隔离和安全领域的高可靠性而闻名。安全和绝缘额定值表可作为设备合格的所有关键参数的快速参考。安全机构批准的数量可能因产品而异，即使是根据可用的产品选项。所有代理证书都可以在我们的网站的特定产品页面上找到。

　　处于全饱和状态的光电晶体管，也称为全开关，其集电极-发射极电压（VCE）为0.4 V或更低，如图12所示。与双极晶体管相比，不同的曲线是用发射二极管的正向电流（IF）而不是基极电流（IB）定义的。对于光电耦合器，光电晶体管基极是发射极侧正向电流的乘积，它以不同的步骤绘制。

　　基本上，光电晶体管光耦有两种工作模式：线性模式（非饱和）和逻辑模式（饱和）。

　　光耦可以平行堆叠，以便驱动红外发射器侧的单个受控信号可以提供两种分离和隔离的输出类型。堆叠多个耦合器时，需要考虑电流共享。发射器红外二极管具有负温度系数，因此，即使所有发射器的环境温度相同，结温稍高的任何发射器都会比其他发射器吸收更多电流。当堆叠配置中需要多个光耦时，应考虑使用恒流源来提供恒定正向电流。

　　CTR是一个与标准晶体管的增益（hFE）相当的比率，但它表示为集电极电流（IC）除以正向电流（IF）并乘以100%的比率。因此，CTR=IC/IF x 100%。此外，CTR受正向电流（IF）、集电极-发射极电压Vce和环境温度（Tamb）的影响。

　　由于光耦是在大量CTR组（装箱）中提供的，因此有一种建立因子的方法是有利的，该因子可以在所有可用CTR组之间提供快速交叉比较。我们使用标准化缩放来实现这一点。标准化是将数据缩放到标称条件，主要在25°C和耦合器特定正向电流下进行，如图15所示（Tamb=25°C和IF=5 mA时的NCTR为1.0）。

　　图16的频率截止图提供了关于可通过光耦传输的小交流信号的最高有效频率的信息。它实际上是输出电压达到振幅一半的频率，定义为-3dB。不同的曲线显示不同的负载电阻。

　　给定集电极-发射极电压（VCE）和负载电阻（RL）的工作频率上的相位角扫描为流行的光耦应用（如SMPS（开关模式电源））提供了快速相位角参考，该应用可在低功耗状态之间切换电源，并将浪费的能量降至最低，其中光耦一般用于反馈回路。

　　当使用光耦进行设计时，有一些CTR相关性值得考虑。要构建健壮的应用程序，必须考虑所有可能影响性能的可预见因素。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。