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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
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  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅光耦继电器
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    碳化硅晶圆
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
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    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
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    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
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    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
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    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
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    100~200mA
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    APPL-W341
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    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
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    APPL-0601/APPL-0631
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    APH2213/2223
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光耦继电器的基本特征!

发表时间:2021-08-19 16:04作者:光耦选型工程师

    光电耦合器通过透明隔离材料、光发射器和光电探测器进行光学连接。用作具有不同接地电位的电路之间的接口,光电耦合器取代隔离变压器和电磁继电器。传统上,继电器或变压器被用于两个设备之间的隔离接口逻辑电路和电源线负载电路。光电耦合器不仅取代了这些器件,而且具有许多优点如消除阻抗失配,提高输入输出隔离能力,并且易于切断噪音。此外,现在的电路由更多的大规模集成电路和微型计算机组成,与以前相比,光电耦合器的其他优点包括减少了在印刷电路上占用的面积由于可靠性的提高,电路板和免维护操作。


    本节概述了基本概念!


    通用晶体管输出光电耦合器(光隔离器)的特性和应用设计。


    1.基本特征


    1-1.电流传输比(CTR)

光耦继电器的基本特征

    图1.1显示了TLP785的引脚配置。CTR定义为IC/IF比率(表示为a输出侧晶体管集电极电流IC与输入侧LED中流动电流的百分比)。


    图1.2显示了TLP785的CTR分布。CTR随IF而变化。在IF=5mA和VCE=5V,CTR设计在50%到600%之间当输入电压VIN不是绝对零或数据传输中存在一些不必要的电流时,LED的阈值电压应通过连接一个电阻器与电源并联来提高到一定水平发光二极管。


    具有高光敏性和高电流传输比的晶体管耦合器是有效的接口用于信号传输。然而,输电线路通常会受到各种噪声的影响,并且是一个复杂的系统,因此,有必要对接收侧的这些噪声采取对策。在许多情况下,晶体管设计在类似于图2.6(b)所示电路中的耦合器。然而,这种电路设计容易受到干扰信号传输中的某种干扰。而共模噪声不会造成问题,因为晶体管耦合器的隔离特性,未采取措施防止差分噪声。图形2.6(c)是用于消除差分噪声的电路示例。此电路与其他电路相同通用晶体管,在基极和发射极之间插入一个电阻器。


    高CTR晶体管耦合器在信号传输应用中更有效。可以从地图上看到图表显示,对于高CTR产品,截止面积和饱和面积比低CTR产品更接近产品。因此,可以指定具有足够裕度的阈值输出电压电平,以允许为方便和灵活的设计。为此,建议使用此电路。


    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


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