光电耦合器的基本原理介绍！-先进光半导体

    光耦继电器是一种利用光信号作为媒介来传输电信号的元件。光耦的输入和输出信号可以很好地隔离，因此光耦经常出现在隔离电路中。光耦一般由三部分组成：光发射、光接收和信号放大。输入电信号驱动（LED），使其发出一定波长的光，被光电探测器接收产生光电流，进一步放大后输出。这就完成了光电转换，从而起到输入、输出和隔离的作用。

    光耦是流体控制元件，输入和输出之间的最高隔离电压可达数千伏。光耦分为线性光耦和非线性光耦。在规范允许的最大有效范围内，线性光耦的输入电流IF增加，输出端阻抗（也可理解为等效电阻）减小，输出电流IC增加。使用线性光耦时，输出端可视为可变电阻。输入端电流越大（在规范允许的最大有效范围内），输出端电阻越小。因此，在使用时，必须注意输入端串联电阻的值。过大的值将导致光耦未完全开启，输出的等效电阻将较大，从而限制输出回路中的电流。

    光耦中的常见参数：

    反向电流IR：当规定的反向工作电压VR施加到被测管的两端时，流过二极管的电流。

    反向击穿电压VBR：当被测管的反向电流IR为规定值时，两极之间产生的电压降。

    正向压降VF：当通过二极管的正向电流为规定值时，正极和负极之间产生的压降。

    正向电流IF：在被测管两端施加一定正向电压时，二极管中流动的电流。结电容CJ：被测管两端在规定偏压下的电容值。

    反向击穿电压V（BR）CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极和发射极之间的压降。

    输出饱和压降VCE（sat）：当发光二极管和集电极电流IC的工作电流IF处于规定值时，保持IC/IF≤集电极和发射极之间的CTRmin（CTRmin在被测管的技术条件中有规定）和电压降。

    反向截止电流IEO：当发光二极管开路且集电极和发射器之间的电压处于规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

    电流传输比CTR：当输出管的工作电压为规定值时，输出电流与发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

    脉冲上升时间tr，下降时间tf：在光耦规定的工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿的10%到90%。所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后缘振幅的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

    传输延迟时间tPHL，tPLH：传输延迟时间tPHL是从输入脉冲前沿的50%到输出脉冲电平降至1.5V所需的时间。传输延迟时间tPLH是从输入脉冲后缘振幅的50%到输出脉冲电平升至1.5V所需的时间。

    输入和输出隔离电容CIO：光耦合装置输入和输出之间的电容值。

    输入输出隔离电阻RIO：半导体光耦输入输出之间的绝缘电阻值。

    输入输出VIO之间的隔离电压：光耦输入输出之间的绝缘耐受电压。

    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。