光耦继电器内部构造！-先进光半导体

    松下提供广泛的通信用光电继电器，测量、安全装置和工业控制的光继电器产品。

    显然，PhotoMOS继电器不同于传统的机电式继电器，但它也区别于其他需要利用光耦或半导体。

    图中说明了PhotoMOS继电器的结构

    在下面输入引脚连接至发光二极管。

    该LED位于继电器的上部，如图所示一旦电流流过它，它就开始发射红外线。在LED的下方，有一个太阳能电池阵列集成到光电装置中的电池，因此切换输出晶体管。发光器和探测器是模制的半透明树脂，允许光线通过，但在输入端和输出端之间提供一个介质屏障，输出端。通过将内部电路集成到光电器件，它作为一个控制电路切换功率MOSFET，从而切换负载电路处于接通或断开状态。

    单个功率MOSFET仅能够切换直流电压，因为其内部源漏二极管如果负载极性反转，则变为正向偏置。使用PhotoMOS继电器切换交流电压因此需要两个源耦合电源MOSFET集成在一个PhotoMOS继电器中。

    通过连接交流继电器的两个输出晶体管并联时，允许的直流电流也可以增加（A、B或C连接），如下所示：

    基本上，功率MOSFET的输出作为一个纯输出欧姆电阻，从而区分照片从光耦或双向晶闸管解决方案，因为没有饱和需要电压或偏移电压。然而

    上述MOSFET的源漏二极管可能会影响输出的线性度，以及电容可能会限制更高的可用性频率。这在很大程度上取决于使用的PhotoMOS继电器和应用程序的要求

    由于松下广泛的产品范围，我们能够为多种应用提供PhotoMOS继电器，

    光继电器产品的优势：

    •低控制电流

    •小模拟信号的控制

    •低泄漏电流

    •快速切换速度

    •在整个使用寿命内具有稳定的导通电阻

    •产品寿命极长

    •小型

    •灵活的安装位置

    •高振动和抗冲击性

    •无触点弹跳

    •无开关噪声

    由于PhotoMOS继电器种类繁多，广泛适用于多种应用（见图4）。它们可用于电信和通信测量设备，用于开关和控制小型电机或其他电力负载，以及用于控制微控制器发出的各种信号等等。

    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。