PhotoMOS继电器的工作原理特性！-先进光半导体

    在以前的文章中，我们已经展示了PhotoMOS继电器是如何工作的，以及如何优化某些特性。这里我们讨论输出电容和导通电阻（CvsR）之间的平衡。

    导通电阻和输出电容之间的平衡：

    实现光电继电器是一项简单的任务，尤其是在电子电路中，机电继电器中的线圈EMI会导致不必要的噪声和虚假信号。可以调整影像以适合不同的应用。由于MOSFET用于切换输出侧，很明显MOSFET特性会影响PhotoMOS继电器的行为。通过增加更多的光电池，可以降低操作功率。此外，通过调整MOSFET的设计可以改变击穿电压、导通电阻和开关容量。例如，增加击穿电压需要略微掺杂漏区。然而，这种变化也会降低电容，增加导通电阻。另一方面，通过改变漏极面积来降低导通电阻会导致更高的容量但更低的击穿电压。因此，获得正确的公式是一项漫长而艰巨的任务。

    低CxR光电继电器：

    需要低导通电阻和低电容开关来减少信号损耗，改善开关时间和隔离特性，这是测量和数据采集设备等高精度应用的关键要求。由于导通电阻和电容都减小，这些设备被称为低CxR光电组件。通过优化MOSFET布局和改进内部结构（包括焊盘布局、引线键合方式和新端子引线），可实现CxR值的这些改进。

    通过降低光耦继电器的CxR值，可以在其他重要值（如负载电压）中进行一些权衡。显示了一些典型的低CxRPhotoMOS继电器的特性。

    低CxR影像的应用！

    低CxR影像特别适合测量和数据采集应用。例如，AQY221N3V的导通电阻为5.5W，输出电容为1pF，因此开关速度为20ms，并提供出色的隔离特性。缩短了内部连接线的长度，实现了新的更小封装。新的SSOP（收缩小外形封装）是传统SOP（小外形封装）表面积的60%。当系统需要多个开关时，如自动测试设备（ATE）的情况下，这可以转化为显著节省电路板空间。

    在ATE系统中，各种交流和直流信号应用于被测设备（DUT），其中开关速度起主要作用。监控输入和输出信号，并进行测量。由于测试系统中信号的多样性，需要具有不同特性的继电器。直流信号需要具有降低导通电阻的低CxR光电倍增管，以减少信号损耗，而交流信号需要具有降低电容的光电倍增管，以提供优化的隔离。

    请在评论部分描述您在PhotoMOS继电器挑战中最艰难的设计。

    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。