由与光源光耦合的发光器件和穿过透明电流绝缘体的检测器件组成。它们通常用于在具有不同地电位的两个电路之间通过光发送的电信号来传输数据。过去，电磁继电器、隔离变压器和其他设备用于从集成电路或在隔离的初级和次级电路之间传输电信号，这是次要方面。目前，普遍使用光耦合器，因为它们有助于解决阻抗不匹配问题，在输入和输出之间提供更高的隔离度，抑制感应电动势，并简化噪声抑制。光伏输出光耦合器响应输入光能产生电能。
发光二极管（LED）。光伏输出光电耦合器能够在没有电源的情况下驱动分立式 MOSFET，有望取代传统的机械继电器。
1.1 光伏输出光电耦合器的结构！
与其他类型的光电耦合器一样，光伏输出光电耦合器由输入发光器件和输出光检测器件组成，它们穿过透明的电流绝缘体（图 1.1（a））。在光伏输出光电耦合器的情况下，红外 LED 用作发光器件，而光电二极管阵列用作光检测器件（图 1.1（b））。光伏输出光电耦合器中检测光线的光电二极管是一种带有pn结的半导体器件。
光伏输出光电耦合器 (PV) 在用于驱动电源的直流电压以下生成 MOSFET 的栅极。由于来自光伏输出光电耦合器的短路电流通常在10到几十微安的数量级，因此不适用于开关电源驱动和其他高速开关应用。因此，光伏输出光电耦合器通常用于继电器应用中，可以承受低速开关。光伏输出光电耦合器提供的开路电压（VOC）在25°C的室温下约为7至9V。然而，VOC随着温度的升高而减少和增加。因此，可能需要多个光伏输出光电耦合器。
光伏输出光电耦合器和MOSFET集成在一个芯片中，包裹它所需的板空间比光伏输出、光电耦合器和分立MOSFET的组合小得多。 PhotoLay 的一个缺点是其额定电流受可集成在封装中的芯片尺寸的限制。与传统的机械继电器相比，PV+MOSFET的组合不最大功率是有限的。尽管如此，与机械继电器相比，PV+MOSFET 组合有几个优点。
与机械继电器相比，PV+MOSFET 组合具有多项优势。
驱动MOSFET的光伏输出光耦需要电路放电，栅极电容可以将其关断。有些光伏输出光电耦合器包含放电电路，有些则不放电。最简单的光伏输出光耦需要外接放电电路。在最简单的情况下，它是连接在光伏输出光电耦合器的阳极和阴极输出之间的单个电阻器。高阻值电阻器允许光伏输出光电耦合器提供接近其 VOC 水平的开路电压 (VOC)。但是，高值电阻会减慢 MOSFET 的关断速度，因为放电时间取决于驱动 MOSFET 的电极栅极电容与电阻值 (CxR) 的乘积。使用光伏输出的优势。不带内部放电电路的光电耦合器（如TLP3905）可以在一定范围内灵活调整导通电压和关断时间。
当 LED 快速开启时，光电二极管阵列（即开路电压）没有衰减，并在 MOSFET 栅极关闭时放电。它们简化了系统设计并提供了出色的光电特性。
Advanced Opto Semiconductors是由Southern Advanced Advanced与日本归国的杨振林博士团队合资成立的光电集成电路和光电驱动器等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业. Advanced Opto Semiconductors拥有先进的全自动光电器件生产线，具备年产8000万只光电和光耦合器器件的生产能力。现阶段，先进光半导体的光耦合器继电器、光耦合器等主要产品应用于：储能系统。智能电表。自动检测设备。电信设备。测量仪器。医用器材。通讯设备。电脑端。安全监控。 O/A 设备。 PLC控制器。 I/O控制板等，依托光半导体综合设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体希望在发展前景广阔的光电控制领域深化发力，逐步提高光半导体的技术附加值。产品，并扩展更多技术含量的产品线。
