转向8英寸，宽禁带半导体成本要降？-先进光半导体

　　近日，多家半导体头部企业加速布局8英寸宽禁带半导体制造。5月9日，有消息称，联电加速布局8英寸晶圆宽禁带半导体制造，近期正大举购置新机台扩产，预计下半年进驻厂区。5月9日，半导体材料企业Soitec半导体公司发布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圆。4月25日，科锐旗下功率与射频部门Wolfspeed正式启用全球最大8英寸碳化硅晶圆厂。宽禁带半导体晶圆尺寸由6英寸向8英寸升级成为行业趋势。分析师称，这将有利于宽禁带半导体降低成本。

　　宽禁带半导体是半导体行业的热门领域。现阶段，宽禁带半导体制造仍以6英寸为主。6英寸宽禁带半导体制造产线成本相对较低，当前行业内多以IDM方式布局，代表企业有科锐、意法半导体、英飞凌、罗姆等功率半导体领域国际大企业。

　　而近期对宽禁带半导体从6英寸向8英寸转型表现出关注的企业，既包括以意法半导体为代表的国际老牌功率半导体IDM企业，又包括以英诺赛科为代表的专精于宽禁带半导体的国内新兴势力，还有以联电为代表的国际晶圆制造龙头企业。整个产业链对宽禁带半导体晶圆向8英寸转型的关注，将极大地加快产业升级进程。若产业链成功完成由6英寸向8英寸的升级，则宽禁带半导体的产能将大大提升。

　　业内分析师表示，近期产业链在宽禁带晶圆片向8英寸转型做出的一系列举动，将给宽禁带半导体产业带来两方面影响。

　　一方面，晶圆代工厂入局将推动宽禁带半导体制造环节格局变迁。

　　宽禁带半导体仍以IDM模式为主，科锐、意法半导体、英飞凌等为主要参与企业。现阶段，宽禁带半导体领域的代工企业较少。以硅基氮化镓为例，全球前5大晶圆代工厂中仅有台积电在该领域布局。近期联电加码，意味着宽禁带半导体也逐渐成为晶圆代工企业拓展布局的焦点。

　　另一方面，8英寸晶圆制造规模扩大，将有利于助推宽禁带半导体晶圆成本降低。

　　氮化镓与碳化硅是当前行业内应用最广的两种宽禁带半导体材料。其中，氮化镓以其高频率材料特点主要应用于消费电子快充产品，以及5G基站、新能源充电桩等对材料频率有较高需求的产品。碳化硅以其高功率材料特点成为新能源汽车、轨道交通、光伏等应用领域替代硅材料的关键材料。不论是氮化镓、碳化硅，还是砷化镓等其他宽禁带半导体材料，其材料性能均获得了业内认可。高材料价格是阻碍该材料行业应用的重要原因。

　　近日，代工企业与IDM企业加码8英寸制造，都将进一步扩大宽禁带半导体制造规模。“晶圆制造规模提升，将会提高上游晶片、原材料、设备的需求量，从而实现规模化生产的成本降低。”创道投资咨询总经理步日欣在接受《中国电子报》记者采访时表示，“联电扩产8英寸宽禁带半导体制造，意味着宽禁带半导体正在向着大规模、低成本方向演进。”

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。

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