使用光耦合器基于MOSFET的DC继电器

    在这里，我们将探讨光伏输出光耦合器的使用。这些通常用于驱动功率MOSFET。这些基于使用串联连接的光电二极管阵列来产生栅极驱动电压。

    有关基本光电二极管的更多信息，有关基本操作的更多信息，请参见光电二极管电路的操作和用途。

    让我们看看我过去使用的较旧的电路。图1显示了使用NPN晶体管输出光耦合器将导通电压切换到N沟道MOSFETQ1的栅极。

    这种电路的局限性是由于光耦合器的集电极-发射极击穿电压和MOSFET上的栅源击穿电压（Vgs）引起的。

    图2显示了图1的P通道变化。这里也存在同样的问题，其中光耦合器的电压击穿和Vgs将电压限制在20伏左右。

    图3说明了到TLP1918光伏输出光耦合器的内部连接。它由一个LED发射器和一系列光电二极管阵列组成，以产生7-10伏的输出。它还包括一个内部栅极泄放电阻（假设为MOSFET），用于在LED发射极关闭时关闭MOSFET。

    图4说明了PVI5050N系列光伏MOSFET驱动器。这些不包括必须在外部添加的内部栅极泄放电阻。

    图5说明了具有内部栅极关断电路的ASSR-V621系列光伏输出光电耦合器。这些是面向驱动MOSFET的双驱动设备。

    图6示出了使用具有光伏输出光耦合器的增强模式MOSFET。与早期的基于晶体管的光耦合器不同，消除了由于C-E击穿和Vgs引起的限制问题。我们仅受漏极-源极电流和电压额定值的限制。

    这将创建一个LED发射器打开时打开的继电器。

    以上想法被用于商业设备中。该示例设备具有3-32伏输入电路，并且负载可以如图2所示的任何一种方式连接。