如何根据负载类型选择光耦合器产品！

　　光电耦合器（或光耦合器）是用于隔离具有不同地电位的两个电路的一大类器件。光耦合器通常用于输入信号与处理器之间或处理器与输出负载之间的隔离，有利于消除阻抗失配、改善输入与输出之间的隔离以及降低噪声。

　　目前有各种各样的光耦合器可供选择，包括具有晶体管、晶闸管或三端双向可控硅输出的通用器件，以及IC类型的光耦合器、光继电器和光伏耦合器。最近的趋势满足了工程师的需求，他们必须在对更小封装的相互冲突的需求与对更高功率输出、更高速开关和/或更低电源电流的各种要求之间取得平衡。

　　晶体管输出。带晶体管输出的光电耦合器用于信号传输或可编程逻辑控制器、逆变器、电源、电器和调制解调器中的开关。主要选择标准是集电极-发射极电压VCEO集电极和发射极之间的额定电压;电流传输比IC/IF，低输入型，达林顿晶体管输出大电流增益，通道数和封装型。

　　三端双向可控硅输出。三端双向可控硅光电耦合器可以在两个方向上传导电流，可用于控制交流负载。典型应用包括固态继电器和办公自动化设备，以及电器、电机和照明。可控硅类型的主要选择标准是触发主导电流IFT，这是将器件更改为导通状态（通常为5至10 mA）所需的最小输入电流，峰值导通状态电压VTM，峰值关断状态电压（VDRM）通常为400或600 V，并且过零或非过零。三端双向可控硅的最新发展集中在减小封装尺寸和实现更低触发电流的新型LED上。

　　晶闸管输出。带晶闸管输出的光电耦合器通常用作栅极电路，其行为类似于三端双向可控硅耦合器，但在一个方向上。一个例子是反馈环路中的误差放大和过压保护，例如在电源中。主要选择标准与三端双向可控硅耦合器相同。

　　集成电路输出。IC光电耦合器适用于在输出侧需要更高级功能的应用。光耦合器的许多最新进展都属于这一类，这是由高速数字传输的要求推动的。它们通常可分为三个子类别：高速IGBT/MOSFET驱动器和IPM驱动器。

　　高速。光电耦合器具有输出IC，使其能够在驱动等离子显示面板、工厂自动化设备和开关电源等应用中传输数据信号。主要选择标准包括开关速度和阈值输入电流IFHL/IFHL，这是触发输出变化所需的最小输入电流。

　　高速器件的显著进步是减小封装尺寸和降低电源电流。例如，东芝光电耦合器系列的最新创新包括新的6引脚收缩双列直插式封装（SDIP），比上一代50引脚DIP小8%。新封装结合了DIP封装的高隔离特性和表面贴装器件的紧凑性。

　　IGBT/MOSFET驱动器。第二种类型的IC光电耦合器是双晶体管图腾柱输出驱动器，用于驱动电梯，电器和空调等应用中逆变器和伺服电机控制中的晶体管。主要选择标准包括输出电流IO、电源电压、CMR（共模噪声抑制）、开关速度和阈值输入电流I FHL/IFHL。

　　IGBT驱动器的发展包括小型化、更高的输出电流、更高速的开关和更低的功耗。

　　IPM驱动程序。IPM驱动器在功能上可与IGBT/MOSFET驱动器相媲美，面向智能功率模块，具有较低的输出电流和类似的高开关速度。主要选择标准包括数据速率和与前面提到的高速IC耦合器共享的其他规格。IPM驱动器的最新进展包括更高的电源电压和更高速的开关。

　　光继电器。也称为MOSFET耦合器，光继电器执行开关功能。应用包括调制解调器中的开关、自动化测试设备、机顶盒、可编程逻辑控制器和逆变器。主要选择标准包括，触发LED电流IFT，最小输入电流IF，导通电阻，电容，C OFF，关断状态电压VOFF。它们采用1-形式-A（常开）;1-Form B（常闭）版本。光继电器的最新发展集中在光电探测器的小型化以及MOSFET和光电探测器集成到单个芯片中。另一个趋势是测试设备的CxR值较低，接近1 pF。

　　光伏/光电二极管阵列（PDA）。PDA可以在没有外部电源的情况下驱动功率MOSFET，通常在开关要求超过普通光继电器时使用。主要选择标准包括短路电流ISC和开路电压VOC。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。